在了解5V单片（piàn）机（jī）驱动mos管电路之前，先（xiān）了解一下单片机驱动mos管电路图及原理，单片（piàn）机驱（qū）动mos管电路主要根据MOS管要驱（qū）动什（shí）么东西，要（yào）只是（shì）一个继电器之类的小负载的话直接用（yòng）51的引脚驱动就可（kě）以（yǐ），要（yào）注意（yì）电（diàn）感（gǎn）类负载要加（jiā）保护（hù）二极管和吸（xī）收（shōu）缓冲（chōng），最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西(功（gōng）率)很大，(大电流、大电压（yā）的场合)，最好要做电气隔离（lí）、过（guò）流超压（yā）保（bǎo）护（hù）、温度保护等……此（cǐ）时（shí）既要隔离传送控制信号(例如PWM信号)，也要给驱动级(MOS管（guǎn）的推动电（diàn）路)传送电能。常用的信（xìn）号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于电能的传送可（kě）以（yǐ）用DC-DC模块（kuài）。如（rú）果（guǒ）是做产品的话建（jiàn）议自己搞（gǎo）一个建议的（de）DC-DC，这样可以降低成本。然后MOS管有一种简单的驱动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一个用（yòng）于MOS开启驱（qū）动，一个用于（yú）MOS快速关（guān）断。
图一：适合开关频率不高的场合（hé），一般（bān）低于2KHz。

其中（zhōng）R1=10K，R2、R3大小由V+决定，V+越高，R2、R3越大（dà），以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时（shí）V+不能（néng）大（dà）于40V。

补充：图二：适合高频大功率场合，到达（dá）100KHz没问（wèn）题，同时可以并联多个MOSFET-P管

R2、R3需要满足和图一一样（yàng）的条（tiáo）件，其实就（jiù）是图（tú）一加了级推挽，这样（yàng）就可（kě）以保证MOSFET管高速开关（guān），上（shàng）面6P小电容是发射结结电（diàn）容补偿（cháng）电容，可（kě）以（yǐ）改善（shàn）三极（jí）管高速开关特性。

另外：MOSFET的（de）栅极电容较大（dà），在使用的时候应该把它（tā）当成一个（gè）容（róng）抗负载来看（kàn）。

MOS管驱动电路

在使用MOS管设计开关电源（yuán）或者马（mǎ）达驱动电路的时候，大（dà）部分人都会考虑MOS的导通电（diàn）阻，最大电压等，最大电流等，也有很多（duō）人仅仅考（kǎo）虑（lǜ）这些因素（sù）。这（zhè）样（yàng）的电路也（yě）许是可以工作的（de），但并不是优秀（xiù）的（de），作为正式的产品设计也是（shì）不允许的（de）。

MOS管导（dǎo）通特性

导通的意思（sī）是作为开（kāi）关（guān），相（xiàng）当于（yú）开关闭合。

NMOS的特性：Vgs大于（yú）一定（dìng）的值就（jiù）会导（dǎo）通，适合（hé）用于（yú）源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电（diàn）压达（dá）到4V或（huò）10V就可以了（le）。PMOS的特性：Vgs小于一定的值就会导通（tōng），适合用于源极接VCC时的（de）情况(高端驱动（dòng）)。但是，虽然PMOS可以很方便地（dì）用（yòng）作高端驱动，但由于导通电阻大，价格（gé）贵，替换种类少等原因（yīn），在高（gāo）端驱动（dòng）中，通常还（hái）是使（shǐ）用NMOS。

MOS开（kāi）关管损失

MOS管驱动电路不管是NMOS还是PMOS，导通后都（dōu）有导通电阻存在，这样电（diàn）流就会在这个电阻上（shàng）消（xiāo）耗能（néng）量，这部分（fèn）消（xiāo）耗（hào）的（de）能量（liàng）叫做导（dǎo）通损耗。选择（zé）导通电（diàn）阻小的MOS管会（huì）减小导通（tōng）损耗。现在的小功率（lǜ）MOS管导通电阻一般（bān）在几十（shí）毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的（de）时候，一定不（bú）是在瞬间（jiān）完成（chéng）的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流（liú）过的电流有一个上升的（de）过程，在这段时间内，MOS管的损（sǔn）失是电压（yā）和电（diàn）流的（de）乘积，叫（jiào）做开关损（sǔn）失。通（tōng）常开关损失比导通损失（shī）大（dà）得多，而（ér）且开（kāi）关频率（lǜ）越快（kuài），损失也越大（dà）。

导通瞬间（jiān）电压和（hé）电流的（de）乘积很（hěn）大（dà），造成的损失也就很大（dà）。缩短开关时间，可以减小每（měi）次（cì）导通时（shí）的（de）损失;降低开（kāi）关频（pín）率，可以减（jiǎn）小单位时（shí）间内的开关次数。这两种办法都可以减小（xiǎo）开关损失。

MOS管驱动

跟双极性晶体管相（xiàng）比，一般认为使MOS管导通不需要（yào）电流，只要GS电压高于（yú）一定的值，就（jiù）可以了。这（zhè）个很容易做（zuò）到，但是，我们（men）还需要速度（dù）。在MOS管的结（jié）构（gòu）中（zhōng）可以看到，在GS，GD之（zhī）间存在寄生电容，而（ér）MOS管的驱动，实际上就（jiù）是（shì）对电容的充放电。对（duì）电（diàn）容的充电需要一（yī）个电流，因为对电容（róng）充电瞬（shùn）间可以把电容看成短路，所以瞬间电（diàn）流会（huì）比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要（yào）注意的是可提供瞬间（jiān）短路电流的大小。

MOS管驱（qū）动（dòng）电路第二注意的是，普遍用于高端驱（qū）动的NMOS，导通时需要（yào）是栅（shān）极电压大于源极电压。而（ér）高端驱动（dòng）的（de）MOS管（guǎn）导（dǎo）通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极（jí）电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个（gè）系统（tǒng）里，要得（dé）到比VCC大的（de）电压，就要专门的升（shēng）压电路（lù）了。很多马达驱动器都集成（chéng）了（le）电荷泵，要注意的是（shì）应该 选择（zé）合适的外接电容，以（yǐ）得到足够的（de）短路电流（liú）去驱（qū）动MOS管。

上边说的（de）4V或10V是（shì）常（cháng）用（yòng）的MOS管的（de）导通电压，设计时当然（rán）需要（yào）有一定的余量。而且电压越（yuè）高，导通速度（dù）越快，导通电阻也越小。现在也（yě）有导通电（diàn）压（yā）更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子（zǐ）系统里（lǐ），一般4V导通就够用（yòng）了。MOS管的驱（qū）动（dòng）电路及其损（sǔn）失，可以（yǐ）参考Microchip公（gōng）司（sī）的（de）AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很详细，所以不打算多写了。

MOS管（guǎn）应用电（diàn）路

MOS管最显（xiǎn）著的特性（xìng）是开关特（tè）性好，所以被广（guǎng）泛应用在需（xū）要电子开关的电路中（zhōng），常见的如（rú）开关（guān）电源和马达（dá）驱（qū）动，也有照明（míng）调光。

二、现在的MOS驱动，有（yǒu）几个特别的应用：

1、低压应用当使用5V电源，由（yóu）于三（sān）极管的be有（yǒu）0.7V左右（yòu）的压降，导致实际（jì）最终加在gate上的（de）电压只（zhī）有4.3V。这时候，我们选用标称（chēng）gate电压4.5V的MOS管就存在一（yī）定的（de）风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场（chǎng）合。

2、宽电压应用输入电压并不是一（yī）个（gè）固定值，它会随（suí）着时间或者其他因素而变动（dòng）。这个变动导致（zhì）PWM电路提供（gòng）给（gěi）MOS管的驱（qū）动电（diàn）压是不稳（wěn）定（dìng）的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管（guǎn）内置了（le）稳压（yā）管强行限（xiàn）制gate电压的幅值。在这种情（qíng）况下，当提供的驱动电压超过稳压管（guǎn）的电压，就会引起较大的静态功耗（hào）。同时（shí），如果简单的用电（diàn）阻分压的原（yuán）理降低gate电压，就会（huì）出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低（dī）的时候gate电压（yā）不（bú）足（zú），引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3、双（shuāng）电压应用在一些控制电路中（zhōng），逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而（ér）功率部分（fèn）使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地（dì）方（fāng）式连接。MOS管（guǎn）驱动电路。这就提出（chū）一（yī）个要求，需要使用一个电（diàn）路，让（ràng）低压（yā）侧（cè）能够有效的控制高压侧（cè）的MOS管，同时高（gāo）压侧（cè）的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。